八十 反接双结字符组合（五）

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“理解了上述想象，再来理解’结’字符就很简单了。

“想象在’多键晶体’与’多穴晶体’之外施加正负不同的元压，则外加元压只会存在与平衡结构中的元压方向相同或者相反两种情况。

“当外加元压与内在元压方向相反时，两种元压是串联形式，内在元压不会阻碍外加元压，因而元流可以正常通过，呈现导通状态。

“当外加元压与内在元压方向相同时，两种元压是并联形式，内在元压将会阻碍外加元压，因而元流难以通过，呈现截止状态。

“而当外加元压超过内在元压时，按照基尔霍夫元流定律，元流应该也会随元压变化，不应该出现数值稳定的’反向饱和元流’，对于这个问题，我认为可以这样理解：

“既然晶体内部元流形式为键子向空穴的方向性迁移，那么外部灌入的元流在晶体内部，也可以想象成为键子流动状态——这也是一种可能存在的元流形态，并非那么难以想象。

“从这个思想出发，可以看到外部元流与内在元流方向是相同的，键子向空穴的迁移作用在此过程中一定是在加强，因而内在元压和元流也在增强，晶体接触之处的平衡结构层就会变宽，甚至会包含整个晶体结构，在这种情况下，晶体内部的元流便只能通过键子向空穴的迁移表现出来，迁移的效率则会由五键符文粒子或三键符文粒子的热掺杂率决定。

“所以，无论外加元压多大，内部的元流在新的平衡结构层中也只能稳定在某种程度，而且内在元压时刻存在，所以元流数值也应该不会太大。

“三种状态的简略图示见下…

“上述这种平衡结构，可以视为’结字符’的一种可能存在的形式，可以叫做’键穴结’。”

吴老板看到这里，早已沉默下来，方才的激动也早已不见了踪影。

有一点他不得不承认，这位琳大师的解释虽然也和粒子思想的支持者们一样，通篇都是“想象”，可是在逻辑上却是结构自洽，因果分明！

——将某些键合构物中的元流视作键子迁移的解释，据说是源自于千年之前那位英年早逝的波尔宗师，波尔宗师甚至将键子视为元压概念抽象出来的“负极”那样，拥有某种值为负数的内秉属性！

吴老板身为曾经的七星魔造大师，过往之时也曾在与粒子思想拥趸们的激烈争辩中遇到过类似解释，曾经的他对此一直都是嗤之以鼻！

两年多前，当他晋升宗师的那次魔莲改造失败之后，吴老板便完全搁置下所有魔造理论的思考，偶尔登录魔网也只是处理生意方面的事情，可是现在，当他为了自己的宝贝女儿，仔细考量这篇回复时，他却惊讶地发现，直到目前为止，自己甚至找不到任何自相矛盾的地方，找不出半点可供反驳之处！

这篇回复就像一眼不含任何杂质的井水，清澈通透，却又深不见底！

………

“’反接双结字符组合’，便是将两枚’结’字符首首相连或者尾尾相连。

“将’键穴结’的思想推广到’反接双结字符组合’上面，组合形式便成为’多键-多穴-多键’，或者’多穴-多键-多穴’这两种结构形式。

“以’多键-多穴-多键’结构为例，想象’多穴晶体’的厚度比’多键晶体’薄上很多，而且’多穴晶体’的热掺杂率远远小于’多键晶体’。

“为了表述方便，可以把该结构竖直起来，按照元流传输方向，从上到下将三段晶体分别称为’集键区’、’基区’、’发射区’。

“’集键区’与’基区’之间是第一个’键穴结’，可称为’上方结’；’基区’与’发射区’之间是第二个’键穴结’，可称为’下方结’。

“在’基区’与’发射区’之间外接正向元压Va，构成第一个回路，其中元流记为Ia；在’集键区’与’发射区’之间外接正向元压Vb，构成第二个回路，其中元流记为Ib，该回路总元压为Vc，并且串联一个’阻’字符，起到分压作用；再将这两个回路于’发射区’后端媾合，共地相连，则’发射区’后端的元流为Ia与Ib的和。

“这种使用形式在’反接双结字符组合’中极为常见，可以叫做’共发射区回路模式’，图示如下…

“’反接双结字符组合’的典型应用，便是输入元流对于输出元流的放大作用，在上述回路模式中，便是元流Ia对于元流Ib的放大作用，我们可以简要分析一下：

“调整回路，使得元压Vc大于元压Vb大于元压Va，且元压Vb与元压Vc的差值大于’上方结’的反向偏置元压，则’上方结’呈反向导通状态，’下方结’呈正向导通状态。

“前面说过，’基区’很薄且热掺杂率很小，则’下方结’中形成键子多而空穴少的局面，大量键子在外加元压的作用下进入’基区’，只有很小一部分填补进空穴；

“而’上方结’由于是反向导通状态，与’下方结’的元流方向相同，所以两个’键穴结’中的键子迁移方向也相同，在适当元压的作用下，’下方结’中的大量多余键子便会穿过’基区’，进入到’上方结’中。