第806章 k40宣布进入大内存时代

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低端存储芯片开始不限量供应，这说明华夏的产能建设已经完成，下一步就是彻底抢夺市场，发展高端化。

“我们还有机会，一定还有机会的，华夏现在只是在中低端存储芯片上面发力，只要我们继续发展先进制程，我们的高速高容量存储芯片，一定还会掌握高端市场的。”三桑半导体存储部门的一个负责人这样安慰着自己。

“没机会的，你看看这个吧。”金之泰将一份长星存储最新发布一款硬盘资料扔在桌子上。

“256G？”

“睁大你的狗眼看清楚，这是256T！”金之泰狠狠的说道。

“我们的第四代NAND技术最大才发展到128T，长星存储拿出的256T你知不知道这意味着什么？”

“他们起码在NAND3D堆叠技术上领先我们不止一层！极有可能已经突破了190层！”

“还有这个，M.2的闪存做到16T，咱们除了更先进的封装技术外，整体工艺和制程已经远远落后华夏。”说完金之泰整个人都变得颓然无力起来。

他从华夏的晶圆国产化和光刻机国产化就看出来了，三桑存储终有一天会被华夏吊起来打，只不过没想到这一天来的这么快。

手机业务是瘸子，半导体业务是瘸子，晶圆业务基本已经完了，屏幕业务也是瘸子，现在存储芯片业务也即将变成瘸子。

这日子没法过了。

金之泰心里甚至都在想，要不要早点辞职，李上泰也让自己去汉江憋气，上一个憋气比赛的选手到目前还没分出胜负呢。

反观长星存储这边，则是一片喜气洋洋，3DNAND技术的大突破，直接让闪存的容量翻倍的增长，新建设的几条产线也开始投产，下游的封装企业也都准备就绪，等待这长星存储的存储颗粒。

三桑猜测长星将3DNAND堆叠技术发展到近200层，其实是不准确的，准确的来说长星存储目前最高已经发展到第三代技术，可以做到300层以上的堆叠。

刚发布的16TM.2闪存硬盘，才用了280层的技术。

正所谓发布一代藏一代，预研一代设计一代，直到硅基芯片的极限。

随着长星存储的闪存上市，市面上各种硬盘的价格是应声而落，不少喜欢收藏学习资料的网友看到这价格，都感觉自己眼是不是花了。

“3500M读取，3000M的写入，才不到2毛钱1G？”

“卧槽，是不是我眼花了？”

看着金十达新上架的几款M.2闪存硬盘，一名网名叫做thisit的网友不自觉的发出惊呼。

可狗东上面明晃晃189块的价格告诉他，他眼睛没出问题，确实是这么便宜。

“这又能给小姐姐们安排住所了。”

而继续往下拉，金十达除了这几款低端盘外，还上架了几种相对高端一些的，读取速度7000M，写入速度6500M，随机4K读写1400/1300k，还终身质保，1T价格才499！

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